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碳化硅晶圆衬底在各工艺环节的清洗要求
时间:2024-06-26 关键词:富怡达精密清洗装备 浏览量:78
碳化硅晶圆清洗1
在碳化硅晶圆的生产过程中,清洗是一个关键的环节,今天我们先讲讲衬底的清洗。在衬底环节,碳化硅晶体经过切割、研磨、抛光等工序后,会形成碳化硅薄片,即半导体衬底材料。这个阶段的清洗主要是去除碳化硅基板表面的杂质和污染物,以保证后续工艺的质量。
碳化硅晶圆清洗2-晶体清洗
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今天我们来讲讲碳化硅晶体清洗。碳化硅是采用物理气相升华法(PVT)进行晶体生长成型的,然后经过磨平、滚磨等工序,加工成标准直径尺寸的碳化硅晶体。在对碳化硅晶体切割成碳化硅晶圆(Wafer)前,需要对晶体进行初步清洗。主要去除晶体表面的加工液残留及颗粒物。本环节清洗通常采用低频超声波清洗碱洗和QDR漂洗。
感谢观看,请关注我们,下期我们讲碳化硅切割后清洗。
碳化硅晶圆清洗3-切割后清洗
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今天讲碳化硅晶圆切割后清洗。碳化硅从晶体到Wafer晶圆,通常采用金刚线切割的方式。切割后wafer表面粘附有大量的油污、氧化物和有机物等杂质,需要通过酸洗、超声波碱洗、超声波纯水洗、QDR漂洗、离心甩干或真空干燥等清洗环节以达到后续倒角工艺要求。
感谢观看,请关注我们,下期我们讲碳化硅倒角后清洗。
碳化硅晶圆清洗4-倒角后清洗
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由于碳化硅的高硬度,通常选用金刚石砂轮进行倒角,倒角后清洗要求是彻底去除在倒角过程中产生的所有残留物,包括磨削液、磨屑颗粒等,以确保晶圆的清洁度和后续工艺的顺利进行。此外,清洗过程中注意避免对晶圆造成额外的损伤或污染。
感谢观看,请关注我们,下期我们讲碳化硅减薄研磨后清洗。
碳化硅晶圆清洗5-研磨后清洗
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碳化硅晶圆的减薄主要采用旋转磨削(in-feed grinding)方式。通常需要多次研磨后才能达到减薄要求。每次研磨后都需进行清洗后才能再次研磨,以避免wafer表面残留的Sic颗粒物对碳化硅晶圆造成额外损伤,提高制造良率。
感谢观看,请关注我们,下期我们讲碳化硅晶圆抛光后清洗。
碳化硅晶圆清洗6-初抛后清洗
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碳化硅晶圆的抛光是为了达到wafer平坦化要求,提高表面光洁度和改善机械性能的关键加工环节,通常分为初抛和精抛两步完成。在粗抛过程中,通常会使用高硬度的磨料(如碳化硼或金刚石粉)。初抛后清洗较前面所讲的其它环节清洗要求都高。此时Wafer的表面粗糙度会有所降低,但仍需要进一步处理。
感谢观看,请关注我们,下期我们讲碳化硅晶圆精抛后清洗。
碳化硅晶圆清洗7-精抛后清洗
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作为碳化硅晶圆制作的最后一步工艺,精抛直接关系到加工后的晶圆能否投入后续制作。精抛的目的是进一步改善碳化硅晶圆的表面质量,得到超光滑表面质量的晶圆衬底片。通常要求表面粗糙度低于0.2纳米以下。富怡达自主研发的RCA清洗机就应用在本环节。精抛清洗完成的Wafer经检测合格后进入到外延工艺。
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